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当前我国LED产品与国际先进相比,主要差距在哪里?

当前我国LED产业与国际先进相比,差距主要反映在产品水平较低和研发能力不足上。从产品水平方面看越到上游,水平差距越大。如LED屏幕技术,与国外先进水平差距不大,道路交通信号灯技术水平与国外先进水平略有差距,差距最大的是外延方面,主要反映在光学性能上,还反映在均匀性和成品率上,如InGaAlP外延片制成的芯片,国外最高已达200~300mcd/20mA,而国内仅100~200。InGaN蓝光和绿光数据也相差近一倍。至于在新产品的研发能力上,差距显得更大些,目前我们外延产品的结构,还全是仿照他人的,应积极开展创新型研发工作,做出具有我们自主知识产权的东西来。在大功率LED芯片的研发上,发光效率也大致相当于先进水平的一半,如白光在日本日立和美国Lumiled公司已有50lm/w的产品,而我们研发的最高水平仅为25.7lm/w,发光效率只有19.3lm/w。大功率LED用国外芯片能封出30lm/w器件。低档和中档的各种形状的LED我国现在都能生产。在LED大屏幕产品水平上还有一定差距,而在应用产品的开发上,如液晶背光源,汽车灯方面也有一定差距。

诚然经过努力,我们也有一些开发产品具备了国际上的先进水平。如硅衬底上外延InGaN,已取得30mcd/20mA的芯片成果。而在道路交通信号灯和航标灯方面也达到了与国际先进相当的产品水平,并取得了较好的市场业绩。

值得高兴的是,近二年,特别是国家半导体照明工程启动以来,产品水平和开发水平提高的速度明显加快,出现上、中、下游全面启动的好现象,按这样的发展趋势,逐步赶上国际先进水平是指日可待的。

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